Fabricante: STMicroelectronics

Categoria de produto: MOSFET

RoHS: Detalhes

Tecnologia: Si

Estilo de montagem: Through Hole

Caixa / Gabinete: TO-220-3

Polaridade do transistor: N-Channel

Número de canais: 1 Channel

Vds - Tensão de ruptura entre drenagem e fonte: 500 V

Id - Corrente de drenagem contínua: 8 A

Rds On - Fonte de drenagem na resistência: 850 mOhms

Vgs - Voltagem de porta e fonte: - 20 V, + 20 V

Temperatura operacional mínima: - 65 C

Temperatura operacional máxima: + 150 C

Pd - Dissipação de potência: 125 W

Modo de canal: Enhancement

Embalagem: Tube

Marca: STMicroelectronics

Configuração: Single

Tempo de queda: 9 ns

Altura: 9.15 mm

Comprimento: 10.4 mm

Tipo de Produto: MOSFET

Tempo de ascensão: 21 ns

Série: IRF840

50

Subcategoria: MOSFETs

Tipo de transistor: 1 N-Channel

Tempo típico de ativação/retardo : 10 ns

Largura: 4.6 mm

Peso unitário: 2 g